Nur als Referenz
Artikelnummer | SIHU4N80E-GE3 |
LIXINC Part # | SIHU4N80E-GE3 |
Hersteller | Vishay / Siliconix |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | SIHU4N80E-GE3 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | SIHU4N80E-GE3 |
Marke: | Vishay / Siliconix |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
Serie: | E |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 800 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 4.3A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 1.27Ohm @ 2A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 32 nC @ 10 V |
vgs (max): | ±30V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 622 pF @ 100 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 69W (Tc) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Gerätepaket des Lieferanten: | IPAK (TO-251) |
Paket / Koffer: | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
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Auf Lager | 10834 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.95070 | $0.9507 |
10 | $0.86165 | $8.6165 |
100 | $0.69788 | $69.788 |
500 | $0.54881 | $274.405 |
1000 | $0.45937 | $459.37 |
2500 | $0.42956 | $1073.9 |
5000 | $0.41465 | $2073.25 |
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