DMJ70H1D3SJ3 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

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Artikelnummer	DMJ70H1D3SJ3
LIXINC Part #	DMJ70H1D3SJ3
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DMJ70H1D3SJ3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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DMJ70H1D3SJ3 Spezifikationen

Artikelnummer:	DMJ70H1D3SJ3
Marke:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	700 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4.6A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	1.3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	13.9 nC @ 10 V
vgs (max):	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	351 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	41W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 155°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-251
Paket / Koffer:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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