MSC040SMA120S | Roving Networks / Microchip Technology MSC040SMA120S

MSC040SMA120S

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Artikelnummer	MSC040SMA120S
LIXINC Part #	MSC040SMA120S
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 64A TO268
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MSC040SMA120S PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MSC040SMA120S Spezifikationen

Artikelnummer:	MSC040SMA120S
Marke:	Roving Networks / Microchip Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Roving Networks / Microchip Technology
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	64A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	20V
rds auf (max) @ id, vgs:	50mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	137 nC @ 20 V
vgs (max):	+23V, -10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1990 pF @ 1000 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	303W
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-268
Paket / Koffer:	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA