TK560P65Y,RQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK560P65Y,RQ

TK560P65Y,RQ

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Artikelnummer	TK560P65Y,RQ
LIXINC Part #	TK560P65Y,RQ
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TK560P65Y,RQ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TK560P65Y,RQ Spezifikationen

Artikelnummer:	TK560P65Y,RQ
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	DTMOSV
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	7A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	560mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 240µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	14.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	380 pF @ 300 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	60W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DPAK
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63