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RJK0329DPB-01#J0

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Artikelnummer	RJK0329DPB-01#J0
LIXINC Part #	RJK0329DPB-01#J0
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RJK0329DPB-01#J0 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RJK0329DPB-01#J0 Spezifikationen

Artikelnummer:	RJK0329DPB-01#J0
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	55A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	35 nC @ 4.5 V
vgs (max):	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	5.33 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	60W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	LFPAK
Paket / Koffer:	SC-100, SOT-669

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