TK2Q60D(Q) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK2Q60D(Q)

TK2Q60D(Q)

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Artikelnummer	TK2Q60D(Q)
LIXINC Part #	TK2Q60D(Q)
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TK2Q60D(Q) PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TK2Q60D(Q) Spezifikationen

Artikelnummer:	TK2Q60D(Q)
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	π-MOSVII
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	4.3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	7 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	280 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	60W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PW-MOLD2
Paket / Koffer:	TO-251-3 Stub Leads, IPak