IPLK80R1K2P7ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPLK80R1K2P7ATMA1 | IPLK80R1K2P7ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPLK80R1K2P7ATMA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IPLK80R1K2P7ATMA1
LIXINC Part #	IPLK80R1K2P7ATMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET 800V TDSON-8
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPLK80R1K2P7ATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IPLK80R1K2P7ATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPLK80R1K2P7ATMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	CoolMOS™ P7
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	-
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	800 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	-
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	-
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TDSON-8
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN