DMN1019UVT-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	DMN1019UVT-13
LIXINC Part #	DMN1019UVT-13
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DMN1019UVT-13 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

DMN1019UVT-13 Spezifikationen

Artikelnummer:	DMN1019UVT-13
Marke:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	12 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	10.7A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.2V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	800mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	50.4 nC @ 8 V
vgs (max):	±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2588 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.73W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TSOT-26
Paket / Koffer:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6