CSD16556Q5B | Texas Instruments CSD16556Q5B | CSD16556Q5B Inventory, Best Pricing

CSD16556Q5B

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	CSD16556Q5B
LIXINC Part #	CSD16556Q5B
Hersteller	Texas Instruments
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CSD16556Q5B PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

CSD16556Q5B Spezifikationen

Artikelnummer:	CSD16556Q5B
Marke:	Texas Instruments
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Texas Instruments
Serie:	NexFET™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	25 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	100A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.07mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.7V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	47 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	6180 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.2W (Ta), 191W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-VSONP (5x6)
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN