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PMPB07R3ENX

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Artikelnummer	PMPB07R3ENX
LIXINC Part #	PMPB07R3ENX
Hersteller	Nexperia
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M-
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PMPB07R3ENX PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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PMPB07R3ENX Spezifikationen

Artikelnummer:	PMPB07R3ENX
Marke:	Nexperia
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Nexperia
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	12A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	8.6mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	914 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DFN2020M-6
Paket / Koffer:	6-UDFN Exposed Pad