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SCT2120AFC

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Artikelnummer	SCT2120AFC
LIXINC Part #	SCT2120AFC
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SCT2120AFC PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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SCT2120AFC Spezifikationen

Artikelnummer:	SCT2120AFC
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	29A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	18V
rds auf (max) @ id, vgs:	156mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 3.3mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	61 nC @ 18 V
vgs (max):	+22V, -6V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1200 pF @ 500 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	165W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220AB
Paket / Koffer:	TO-220-3