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BSZ068N06NSATMA1

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Artikelnummer	BSZ068N06NSATMA1
LIXINC Part #	BSZ068N06NSATMA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	BSZ068N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSZ068N06NSATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 28 - Oct 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

BSZ068N06NSATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BSZ068N06NSATMA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	40A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	6.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.3V @ 20µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	21 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1.5 pF @ 30 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.1W (Ta), 46W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TSDSON-8-FL
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN