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NTD5802NT4G

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Artikelnummer	NTD5802NT4G
LIXINC Part #	NTD5802NT4G
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NTD5802NT4G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 28 - Oct 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

NTD5802NT4G Spezifikationen

Artikelnummer:	NTD5802NT4G
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	16.4A (Ta), 101A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	100 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	5.025 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DPAK
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63