IAUT200N08S5N023ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IAUT200N08S5N023ATMA1 | IAUT200N08S5N023ATMA1 Inventory, Best Pricing

IAUT200N08S5N023ATMA1

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Artikelnummer	IAUT200N08S5N023ATMA1
LIXINC Part #	IAUT200N08S5N023ATMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IAUT200N08S5N023ATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 28 - Oct 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IAUT200N08S5N023ATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IAUT200N08S5N023ATMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	OptiMOS™-5
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	80 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	200A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.8V @ 130µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	110 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	7670 pF @ 40 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	200W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-HSOF-8-1
Paket / Koffer:	8-PowerSFN

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