AONR66922 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AONR66922

AONR66922

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	AONR66922
LIXINC Part #	AONR66922
Hersteller	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	AONR66922 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 28 - Oct 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

AONR66922 Spezifikationen

Artikelnummer:	AONR66922
Marke:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Serie:	AlphaSGT™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	15A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	46 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2180 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	4.1W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-DFN-EP (3.3x3.3)
Paket / Koffer:	8-PowerWDFN