NVMFS5C677NLWFT1G | Rochester Electronics NVMFS5C677NLWFT1G | NVMFS5C677NLWFT1G Inventory, Best Pricing

NVMFS5C677NLWFT1G

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Artikelnummer	NVMFS5C677NLWFT1G
LIXINC Part #	NVMFS5C677NLWFT1G
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 11A/36A 5DFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NVMFS5C677NLWFT1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NVMFS5C677NLWFT1G Spezifikationen

Artikelnummer:	NVMFS5C677NLWFT1G
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	11A (Ta), 36A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	15mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 25µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	9.7 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	620 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.5W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN, 5 Leads

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