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G3R20MT12N

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Artikelnummer	G3R20MT12N
LIXINC Part #	G3R20MT12N
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	G3R20MT12N PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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G3R20MT12N Spezifikationen

Artikelnummer:	G3R20MT12N
Marke:	GeneSiC Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	GeneSiC Semiconductor
Serie:	G3R™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	105A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	15V
rds auf (max) @ id, vgs:	24mOhm @ 60A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	2.69V @ 15mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	219 nC @ 15 V
vgs (max):	+20V, -10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	5873 pF @ 800 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	365W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-227
Paket / Koffer:	SOT-227-4, miniBLOC