IAUS300N08S5N012ATMA1 | Rochester Electronics IAUS300N08S5N012ATMA1 | IAUS300N08S5N012ATMA1 Inventory, Best Pricing

IAUS300N08S5N012ATMA1

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Artikelnummer	IAUS300N08S5N012ATMA1
LIXINC Part #	IAUS300N08S5N012ATMA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	IAUS300N08 - 75V-120V N-CHANNEL
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IAUS300N08S5N012ATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IAUS300N08S5N012ATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IAUS300N08S5N012ATMA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	80 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	300A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.8V @ 275µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	231 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	16.25 pF @ 40 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	375W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-HSOG-8-1
Paket / Koffer:	8-PowerSMD, Gull Wing