FQN1N50CTA | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

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Artikelnummer	FQN1N50CTA
LIXINC Part #	FQN1N50CTA
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FQN1N50CTA PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FQN1N50CTA Spezifikationen

Artikelnummer:	FQN1N50CTA
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	QFET®
Paket:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	500 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	380mA (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	6Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	6.4 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	195 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-92-3
Paket / Koffer:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)