IPAW60R180P7SXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPAW60R180P7SXKSA1 | IPAW60R180P7SXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPAW60R180P7SXKSA1

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Artikelnummer	IPAW60R180P7SXKSA1
LIXINC Part #	IPAW60R180P7SXKSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPAW60R180P7SXKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IPAW60R180P7SXKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPAW60R180P7SXKSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	CoolMOS™ P7
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	18A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 280µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1081 pF @ 400 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	26W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO220 Full Pack
Paket / Koffer:	TO-220-3 Full Pack