IMW65R027M1HXKSA1

IMW65R027M1HXKSA1
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Artikelnummer IMW65R027M1HXKSA1
LIXINC Part # IMW65R027M1HXKSA1
Hersteller IR (Infineon Technologies)
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle IMW65R027M1HXKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Sep 28 - Oct 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IMW65R027M1HXKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:IMW65R027M1HXKSA1
Marke:IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:IR (Infineon Technologies)
Serie:-
Paket:Tube
Teilstatus:Active
fet-Typ:-
Technologie:-
Drain-Source-Spannung (vdss):-
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:47A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
rds auf (max) @ id, vgs:-
vgs(th) (max) @ id:-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
vgs (max):-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):-
Betriebstemperatur:-
Befestigungsart:-
Gerätepaket des Lieferanten:-
Paket / Koffer:-

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