BSM400C12P3G202 | ROHM Semiconductor BSM400C12P3G202 | BSM400C12P3G202 Inventory, Best Pricing

BSM400C12P3G202

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Artikelnummer	BSM400C12P3G202
LIXINC Part #	BSM400C12P3G202
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSM400C12P3G202 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BSM400C12P3G202 Spezifikationen

Artikelnummer:	BSM400C12P3G202
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	400A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	5.6V @ 106.8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	+22V, -4V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	17000 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1570W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	Module
Paket / Koffer:	Module