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RUR040N02HZGTL

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Artikelnummer	RUR040N02HZGTL
LIXINC Part #	RUR040N02HZGTL
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RUR040N02HZGTL PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RUR040N02HZGTL Spezifikationen

Artikelnummer:	RUR040N02HZGTL
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.5V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	35mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	8 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	680 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	700mW (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TSMT3
Paket / Koffer:	SC-96