ZXMN6A08E6QTA | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA

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Artikelnummer	ZXMN6A08E6QTA
LIXINC Part #	ZXMN6A08E6QTA
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	ZXMN6A08E6QTA PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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ZXMN6A08E6QTA Spezifikationen

Artikelnummer:	ZXMN6A08E6QTA
Marke:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2.8A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	80mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	5.8 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	459 pF @ 40 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.1W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-26
Paket / Koffer:	SOT-23-6