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BSO200P03SHXUMA1

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Artikelnummer	BSO200P03SHXUMA1
LIXINC Part #	BSO200P03SHXUMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSO200P03SHXUMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BSO200P03SHXUMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BSO200P03SHXUMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	7.4A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	20mOhm @ 9.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	54 nC @ 10 V
vgs (max):	±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2330 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.56W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-DSO-8
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)