DMN1019USN-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

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Artikelnummer	DMN1019USN-7
LIXINC Part #	DMN1019USN-7
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DMN1019USN-7 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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DMN1019USN-7 Spezifikationen

Artikelnummer:	DMN1019USN-7
Marke:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	12 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	9.3A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.2V, 2.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	800mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	50.6 nC @ 8 V
vgs (max):	±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2426 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	680mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SC-59
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3