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TPS1101D

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Artikelnummer	TPS1101D
LIXINC Part #	TPS1101D
Hersteller	Texas Instruments
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TPS1101D PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TPS1101D Spezifikationen

Artikelnummer:	TPS1101D
Marke:	Texas Instruments
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Texas Instruments
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	15 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2.3A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	2.7V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	11.25 nC @ 10 V
vgs (max):	+2V, -15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	791mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SOIC
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)