Nur als Referenz
Artikelnummer | RUM002N05T2L |
LIXINC Part # | RUM002N05T2L |
Hersteller | ROHM Semiconductor |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | RUM002N05T2L PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Jul 01 - Jul 05 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | RUM002N05T2L |
Marke: | ROHM Semiconductor |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
Serie: | - |
Paket: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 50 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 200mA (Ta) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 1.2V, 4.5V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V |
vgs(th) (max) @ id: | 1V @ 1mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | - |
vgs (max): | ±8V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 25 pF @ 10 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 150mW (Ta) |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | VMT3 |
Paket / Koffer: | SOT-723 |
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Auf Lager | 68350 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.38000 | $0.38 |
8000 | $0.05760 | $460.8 |
16000 | $0.05120 | $819.2 |
24000 | $0.04800 | $1152 |
56000 | $0.04480 | $2508.8 |
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