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UF3SC120016K4S

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Artikelnummer	UF3SC120016K4S
LIXINC Part #	UF3SC120016K4S
Hersteller	UnitedSiC
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	UF3SC120016K4S PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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UF3SC120016K4S Spezifikationen

Artikelnummer:	UF3SC120016K4S
Marke:	UnitedSiC
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	UnitedSiC
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	107A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	12V
rds auf (max) @ id, vgs:	21mOhm @ 50A, 12V
vgs(th) (max) @ id:	6V @ 10mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	218 nC @ 15 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	7824 pF @ 800 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	517W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247-4
Paket / Koffer:	TO-247-4