SPD06N60C3ATMA1 | Rochester Electronics SPD06N60C3ATMA1 | SPD06N60C3ATMA1 Inventory, Best Pricing

SPD06N60C3ATMA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	SPD06N60C3ATMA1
LIXINC Part #	SPD06N60C3ATMA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SPD06N60C3ATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

SPD06N60C3ATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	SPD06N60C3ATMA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	CoolMOS™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	6.2A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	750mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.9V @ 260µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	31 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	620 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	74W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO252-3-1
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63