TK33S10N1Z,LXHQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK33S10N1Z,LXHQ

TK33S10N1Z,LXHQ

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Artikelnummer	TK33S10N1Z,LXHQ
LIXINC Part #	TK33S10N1Z,LXHQ
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TK33S10N1Z,LXHQ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TK33S10N1Z,LXHQ Spezifikationen

Artikelnummer:	TK33S10N1Z,LXHQ
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	U-MOSVIII-H
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	33A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	9.7mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 500µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	28 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2050 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	125W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	DPAK+
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63