XPH4R10ANB,L1XHQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation XPH4R10ANB,L1XHQ

XPH4R10ANB,L1XHQ

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Artikelnummer	XPH4R10ANB,L1XHQ
LIXINC Part #	XPH4R10ANB,L1XHQ
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	XPH4R10ANB,L1XHQ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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XPH4R10ANB,L1XHQ Spezifikationen

Artikelnummer:	XPH4R10ANB,L1XHQ
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	U-MOSVIII-H
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	70A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	4.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	75 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4970 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	960mW (Ta), 170W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SOP Advance (5x5)
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)