RDD050N20TL | ROHM Semiconductor RDD050N20TL | RDD050N20TL Inventory, Best Pricing

RDD050N20TL

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	RDD050N20TL
LIXINC Part #	RDD050N20TL
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RDD050N20TL PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

RDD050N20TL Spezifikationen

Artikelnummer:	RDD050N20TL
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Not For New Designs
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	5A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	720mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	9.3 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	292 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	20W (Tc)
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	CPT3
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63