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NIF9N05CLT3G

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Artikelnummer	NIF9N05CLT3G
LIXINC Part #	NIF9N05CLT3G
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NIF9N05CLT3G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

NIF9N05CLT3G Spezifikationen

Artikelnummer:	NIF9N05CLT3G
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	59 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	2.6A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	125mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	250 pF @ 35 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.69W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-223 (TO-261)
Paket / Koffer:	TO-261-4, TO-261AA

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