SPD09P06PLGBTMA1 | IR (Infineon Technologies) SPD09P06PLGBTMA1 | SPD09P06PLGBTMA1 Inventory, Best Pricing

SPD09P06PLGBTMA1

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	SPD09P06PLGBTMA1
LIXINC Part #	SPD09P06PLGBTMA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SPD09P06PLGBTMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

SPD09P06PLGBTMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	SPD09P06PLGBTMA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	SIPMOS®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	9.7A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	250mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	21 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	450 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	42W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO252-3
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63