BSR802NL6327HTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSR802NL6327HTSA1 | BSR802NL6327HTSA1 Inventory, Best Pricing

BSR802NL6327HTSA1

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Artikelnummer	BSR802NL6327HTSA1
LIXINC Part #	BSR802NL6327HTSA1
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSR802NL6327HTSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 29 - Oct 03 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BSR802NL6327HTSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BSR802NL6327HTSA1
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3.7A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.8V, 2.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 3.7A, 2.5V
vgs(th) (max) @ id:	750mV @ 30µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	4.7 nC @ 2.5 V
vgs (max):	±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1447 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	500mW (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-SC-59
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3