IPD50N06S4L08ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPD50N06S4L08ATMA2 | IPD50N06S4L08ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPD50N06S4L08ATMA2

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Artikelnummer	IPD50N06S4L08ATMA2
LIXINC Part #	IPD50N06S4L08ATMA2
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPD50N06S4L08ATMA2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 28 - Oct 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IPD50N06S4L08ATMA2 Spezifikationen

Artikelnummer:	IPD50N06S4L08ATMA2
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	50A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	7.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 35µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	64 nC @ 10 V
vgs (max):	±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4780 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	71W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO252-3-11
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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