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TPH3206LDGB

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Artikelnummer	TPH3206LDGB
LIXINC Part #	TPH3206LDGB
Hersteller	Transphorm
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TPH3206LDGB PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 27 - Oct 01 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

TPH3206LDGB Spezifikationen

Artikelnummer:	TPH3206LDGB
Marke:	Transphorm
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Transphorm
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	16A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 11A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 500µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	9.3 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±18V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	760 pF @ 480 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	81W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	PQFN (8x8)
Paket / Koffer:	3-PowerDFN

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