FQAF16N25C | Rochester Electronics FQAF16N25C | FQAF16N25C Inventory, Best Pricing

FQAF16N25C

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	FQAF16N25C
LIXINC Part #	FQAF16N25C
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 11.4A TO3PF
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FQAF16N25C PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

FQAF16N25C Spezifikationen

Artikelnummer:	FQAF16N25C
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	QFET®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	250 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	11.4A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	270mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	53.5 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1.08 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	73W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3PF
Paket / Koffer:	TO-3P-3 Full Pack