TK200F04N1L,LXGQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK200F04N1L,LXGQ

TK200F04N1L,LXGQ

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Artikelnummer	TK200F04N1L,LXGQ
LIXINC Part #	TK200F04N1L,LXGQ
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TK200F04N1L,LXGQ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TK200F04N1L,LXGQ Spezifikationen

Artikelnummer:	TK200F04N1L,LXGQ
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	U-MOSVIII-H
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	200A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	0.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	214 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	14920 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	375W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220SM(W)
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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