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RQ1C065UNTR

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Artikelnummer	RQ1C065UNTR
LIXINC Part #	RQ1C065UNTR
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RQ1C065UNTR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 26 - Sep 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RQ1C065UNTR Spezifikationen

Artikelnummer:	RQ1C065UNTR
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	6.5A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	1.5V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	22mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	870 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	700mW (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TSMT8
Paket / Koffer:	8-SMD, Flat Lead

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