Nur als Referenz
Artikelnummer | CSD16408Q5 |
LIXINC Part # | CSD16408Q5 |
Hersteller | Rochester Electronics |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | CSD16408Q5 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | ![]() |
Versand | ![]() |
Artikelnummer: | CSD16408Q5 |
Marke: | Rochester Electronics |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - Fets, Mosfets - Single |
Hersteller: | Rochester Electronics |
Serie: | NexFET™ |
Paket: | Bulk |
Teilstatus: | Active |
fet-Typ: | N-Channel |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (vdss): | 25 V |
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C: | 22A (Ta), 113A (Tc) |
Antriebsspannung (max rds an, min rds an): | 4.5V, 10V |
rds auf (max) @ id, vgs: | 4.5mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 2.1V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs: | 8.9 nC @ 4.5 V |
vgs (max): | +16V, -12V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds: | 1.3 pF @ 12.5 V |
fet-Funktion: | - |
Verlustleistung (max.): | 3.1W (Ta) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Gerätepaket des Lieferanten: | 8-VSONP (5x6) |
Paket / Koffer: | 8-PowerTDFN |
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Auf Lager | 26271 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.65000 | $0.65 |
2500 | $0.61180 | $1529.5 |
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