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CSD16408Q5

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Artikelnummer	CSD16408Q5
LIXINC Part #	CSD16408Q5
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CSD16408Q5 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CSD16408Q5 Spezifikationen

Artikelnummer:	CSD16408Q5
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	NexFET™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	25 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	22A (Ta), 113A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	8.9 nC @ 4.5 V
vgs (max):	+16V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1.3 pF @ 12.5 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.1W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-VSONP (5x6)
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN

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