APTM20DAM05G | Roving Networks / Microchip Technology APTM20DAM05G

APTM20DAM05G

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Artikelnummer	APTM20DAM05G
LIXINC Part #	APTM20DAM05G
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 317A SP6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	APTM20DAM05G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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APTM20DAM05G Spezifikationen

Artikelnummer:	APTM20DAM05G
Marke:	Roving Networks / Microchip Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Roving Networks / Microchip Technology
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	317A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	6mOhm @ 158.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 10mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	448 nC @ 10 V
vgs (max):	±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	27400 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1136W (Tc)
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SP6
Paket / Koffer:	SP6