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C3M0120065D

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Artikelnummer	C3M0120065D
LIXINC Part #	C3M0120065D
Hersteller	Wolfspeed - a Cree company
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	650V 120M SIC MOSFET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	C3M0120065D PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 11 - Sep 15 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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C3M0120065D Spezifikationen

Artikelnummer:	C3M0120065D
Marke:	Wolfspeed - a Cree company
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Wolfspeed - a Cree company
Serie:	C3M™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	22A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	15V
rds auf (max) @ id, vgs:	157mOhm @ 6.76A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	3.6V @ 1.86mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	28 nC @ 15 V
vgs (max):	+19V, -8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	640 pF @ 400 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	98W (Tc)
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247-3
Paket / Koffer:	TO-247-3