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G3R160MT12D

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Artikelnummer	G3R160MT12D
LIXINC Part #	G3R160MT12D
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	G3R160MT12D PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

G3R160MT12D Spezifikationen

Artikelnummer:	G3R160MT12D
Marke:	GeneSiC Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	GeneSiC Semiconductor
Serie:	G3R™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	22A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	15V
rds auf (max) @ id, vgs:	192mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	2.69V @ 5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	28 nC @ 15 V
vgs (max):	±15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	730 pF @ 800 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	123W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247-3
Paket / Koffer:	TO-247-3

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