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IRFS7730PBF

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Artikelnummer	IRFS7730PBF
LIXINC Part #	IRFS7730PBF
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	IRFS7730 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRFS7730PBF PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRFS7730PBF Spezifikationen

Artikelnummer:	IRFS7730PBF
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	HEXFET®, StrongIRFET™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	75 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	195A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	6V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	2.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	407 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	13.66 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	375W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D²PAK (TO-263AB)
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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