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BSC091N03MSCGATMA1

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Artikelnummer	BSC091N03MSCGATMA1
LIXINC Part #	BSC091N03MSCGATMA1
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BSC091N03MSCGATMA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

BSC091N03MSCGATMA1 Spezifikationen

Artikelnummer:	BSC091N03MSCGATMA1
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	*
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	-
Technologie:	-
Drain-Source-Spannung (vdss):	-
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	-
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	-
Betriebstemperatur:	-
Befestigungsart:	-
Gerätepaket des Lieferanten:	-
Paket / Koffer:	-