FDP032N08B-F102 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDP032N08B-F102

FDP032N08B-F102

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Artikelnummer	FDP032N08B-F102
LIXINC Part #	FDP032N08B-F102
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	FDP032N08B-F102 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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FDP032N08B-F102 Spezifikationen

Artikelnummer:	FDP032N08B-F102
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	PowerTrench®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	80 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	120A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	3.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	144 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	10965 pF @ 40 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	263W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220-3
Paket / Koffer:	TO-220-3