2SJ661-1E | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor 2SJ661-1E

2SJ661-1E

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Artikelnummer	2SJ661-1E
LIXINC Part #	2SJ661-1E
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SJ661-1E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2SJ661-1E Spezifikationen

Artikelnummer:	2SJ661-1E
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	38A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	39mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	80 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4360 pF @ 20 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.65W (Ta), 65W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-262-3
Paket / Koffer:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA