NVTFS6H850NTAG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVTFS6H850NTAG

NVTFS6H850NTAG

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	NVTFS6H850NTAG
LIXINC Part #	NVTFS6H850NTAG
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NVTFS6H850NTAG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

NVTFS6H850NTAG Spezifikationen

Artikelnummer:	NVTFS6H850NTAG
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	80 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	11A (Ta), 68A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 70µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1140 pF @ 40 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.2W (Ta), 107W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	8-WDFN (3.3x3.3)
Paket / Koffer:	8-PowerWDFN